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功率器件最終往往是拼工藝,IGBT散熱器的最大威脅碳化硅器件一直統(tǒng)治著高壓功率應(yīng)用市場。近些年出現(xiàn)了一種新工藝碳化硅(SiC),碳化硅的絕緣破壞電場強(qiáng)度是傳統(tǒng)硅器件的9倍多,因此使用碳化硅工藝生產(chǎn)的功率器件導(dǎo)通電阻更低,芯片尺寸更小。此外相
發(fā)布時(shí)間:2018-07-06 點(diǎn)擊次數(shù):215
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一、散熱器選型的目的采用適當(dāng)可靠的方法選擇散熱器,控制產(chǎn)品內(nèi)部所有電子元器件的溫度,使其在所處的工作環(huán)境條件下不超過穩(wěn)定運(yùn)行要求的MAX溫度,以保證產(chǎn)品正常運(yùn)行的安全性,長期運(yùn)行的可靠性,避免造成電子產(chǎn)品的絕緣性能退化;元器件損壞;材料的熱
發(fā)布時(shí)間:2018-07-22 點(diǎn)擊次數(shù):368